、埋设方法:为保证接地的可靠,致少应有三点以上接地,即每隔5m挖深1.5m以上坑,将2m以上铁管或铜棒打入坑内,再用3mm厚铜排将这三处焊接在一起,用16平绝缘铜芯线焊上引入室内为干线.。
3、坑内施以适量木炭粉和工业盐,以增加土壤导电性,填埋后用接地电阻测试仪测量,接地电阻应<3Ω。且每年至少测试一次。
为了消除静电所产生的危害,就必段采取消除静电的有效措施,消除静电的方法很多,但最简单有效又经济的办法就是采取接地措施,电子生产厂房中,对所有产生静电的设备都应保证可靠接地。为了防止积聚在设备和人体身上的静电荷达到危险电位,在主要生产场合采用防静电地坪,这类地坪在防护材料中,分布有铜线构成的网络,这些金属网络彼此形成电气通路,用于防静电地坪的静电传导。作为电气设计配合,应在防静电地坪所在的空间的建筑柱上,适当预留接地端子,在地坪敷设完毕后,奖防静电地坪内的金属线与该接地端子相连。另外:接地端子须通过柱内主筋与接地极连通,以使静电通过接地端子沿柱内主筋流向接地极
电子行业如微电子、光电子的制造和使用厂商因为静电造成的损失和危害是相当严重的。据美国1988年的报道,它们的电子行业中,由于ESD的影响,每年的损失达50亿美元之多;据日本统计,它们不合格的电子器件中有45%是由于静电而引起的;我国每年因静电危害造成的损失也至少有几千万。美国Ti公司对某一年对客户失效器件原因进行分析统计的结果,从中可以看到由EOS/ESD引起的失效占总数的47%;图1.2是美国半导体可靠性对1993年从制造商、测试方和使用现场得到的3400例失效案例进行的统计,从中可以看到,EOS/ESD造成的失效也达到20%。而图2.3是一个CMOS器件和一个双极型器件在受到ESD损伤后芯片内部的相貌像。